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Technische Details IRF614PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF614PBF nach Preis ab 1.6 EUR bis 3.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF614PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 250V N-CH HEXFET |
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IRF614PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF614PBF - N CHANNEL MOSFET, 250V, 2.7A TO-220 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 2.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 36 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead |
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| IRF614PBF | Hersteller : IR |
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IRF614PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF614PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF614PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
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| IRF614PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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