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IRF620PBF

IRF620PBF Vishay

irf620.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRF620PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : Vishay irf620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : Vishay irf620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : VISHAY IRF620PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : VISHAY IRF620PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : Vishay irf620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf620.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : VISHAY 1866612.pdf Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 50W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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IRF620PBF IRF620PBF Hersteller : Vishay sihf620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF620PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf620.pdf N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
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IRF620PBF IRF620PBF
Produktcode: 102083 		irf620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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