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IRF630 STMicroelectronics

Name: IRF630
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2091958-5
Price: 0.8 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 935 Stücke:

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Technische Details IRF630 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

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IRF630NPBF
Produktcode: 15961

Hersteller : IR

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT

verfügbar: 164 Stück

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Weitere Produktangebote IRF630 nach Preis ab 0.64 EUR bis 4.51 EUR

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 946 Stücke:

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104+	1.53 EUR
120+	1.28 EUR
141+	1.04 EUR
500+	0.76 EUR

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 887 Stücke:

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38+	1.9 EUR
41+	1.76 EUR
44+	1.63 EUR
107+	0.67 EUR
112+	0.64 EUR

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

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38+	1.9 EUR
41+	1.76 EUR
44+	1.63 EUR
107+	0.67 EUR
112+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IRF630

Hersteller : Harris Corporation

HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 22729 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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353+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 353

IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

auf Bestellung 935 Stücke:

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16+	3.41 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.6 EUR
2000+	1.5 EUR
5000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

auf Bestellung 13958 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
8+	3.67 EUR
50+	2.95 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.62 EUR
2000+	1.52 EUR
5000+	1.45 EUR
10000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 946 Stücke:

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IRF630

Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm

auf Bestellung 1466 Stücke:

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IRF630

Hersteller : Siliconix

N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
50+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IRF630

Hersteller : ST MICROELECTRONICS

N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
3+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IRF630

Hersteller : IR

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	4.51 EUR
10+	4.14 EUR

IRF630

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF630

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT IRF630PBF

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IRF630

Hersteller : NXP Semiconductors

MOSFET

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IRF630

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFET

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IRF630
Produktcode: 3058

Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar