IRF630STRLPBF
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Technische Details IRF630STRLPBF
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Preis IRF630STRLPBF ab 3.41 EUR bis 4.6 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 
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IRF630STRLPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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