IRF630STRLPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
sih630s-1768690.pdf
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Technische Details IRF630STRLPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.

Preis IRF630STRLPBF ab 3.41 EUR bis 4.6 EUR

IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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