IRF634STRRPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
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Technische Details IRF634STRRPBF

Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis IRF634STRRPBF ab 4.26 EUR bis 5.9 EUR

IRF634STRRPBF
IRF634STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay
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IRF634STRRPBF
IRF634STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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IRF634STRRPBF
IRF634STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
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IRF634STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Packaging: Cut Tape (CT)
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