IRF644STRRPBF
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Technische Details IRF644STRRPBF
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active.
Preis IRF644STRRPBF ab 7.23 EUR bis 9.78 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 
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IRF644STRRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: D2PAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
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