IRF6648TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF6648TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF6648TRPBF nach Preis ab 1.27 EUR bis 5.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 5373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC |
auf Bestellung 51367 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
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IRF6648TRPBF Produktcode: 167334 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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IRF6648TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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