IRF720STRRPBF

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Hersteller:
IRF720S MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
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Technische Details IRF720STRRPBF

Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263).

Preis IRF720STRRPBF ab 0 EUR bis 0 EUR

IRF720STRRPBF
IRF720STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
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IRF720STRRPBF
IRF720STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
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