IRF720STRRPBF
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Technische Details IRF720STRRPBF
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263).
Preis IRF720STRRPBF ab 0 EUR bis 0 EUR
IRF720STRRPBF Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp ![]() |
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IRF720STRRPBF Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) ![]() |
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