IRF730BPBF
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Technische Details IRF730BPBF
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Packaging: Tube, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 104W (Tc).
Preis IRF730BPBF ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch 
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IRF730BPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730BPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±30V Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
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