IRF7317TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7317TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote IRF7317TRPBF nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7317TRPBF | Hersteller : Taiwan TY Semiconductor |
SOIC-8 |
auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7317TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
SOIC-8 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
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IRF7317TRPBF Produktcode: 41839 |
Transistoren > MOSFET N-CH Bem.: N+P |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 6.6/-5.3A Drain-source voltage: 20/-20V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29/58mΩ Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7317TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 6.6/-5.3A Drain-source voltage: 20/-20V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29/58mΩ |
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