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IRF7343PBF

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Produktcode: 32395
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
verfügbar 112 Stück:
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IRF7343PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8
auf Bestellung 65 Stücke:
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IRF7343PBF irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 IRF7343PBF Транзисторы HEXFET
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N Tube
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IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-3166042.pdf MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
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IRF7309PBF
Produktcode: 36562		 description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 534 Stück
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10+ 0.42 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 description
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
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MOC3052 (EL3052)
Produktcode: 7537		 29243_6147105.pdf
MOC3052 (EL3052)
Hersteller: LITEON
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Оптосимістор
U-isol, kV: 7,5 kV
U ausg, V: 600 V
auf Bestellung 194 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BT151-500R (JCT151-500R)
Produktcode: 32575		 BT151-500Rdsa.pdf
BT151-500R (JCT151-500R)
Hersteller: NXP/JJM
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
U,zu,V: 500V
I-auf,mA: 15mA
Imax,A: 12A
verfügbar: 152 Stück
erwartet: 500 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.44 EUR
2N7002(Transistor)
Produktcode: 47271		 2n7002-datasheet.pdf
2N7002(Transistor)
Hersteller: Hottech
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: SMD
auf Bestellung 1109 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)