IRF7470TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4000+ | 1.57 EUR |
| 8000+ | 1.49 EUR |
| 12000+ | 1.42 EUR |
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Technische Details IRF7470TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.
Weitere Produktangebote IRF7470TRPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 54203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V |
auf Bestellung 28727 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC |
auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 5216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 5216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 4 - 72 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7470TRPBF | Hersteller : IR |
MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7470TRPBF |
IRF7470TRPBF Транзисторы |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7470TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced |
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