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IRF7503TRPBF

IRF7503TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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Technische Details IRF7503TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54 Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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255+ 0.59 EUR
258+ 0.56 EUR
366+ 0.38 EUR
369+ 0.36 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 222
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54 Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7503_DataSheet_v01_01_EN-3363290.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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162+ 0.93 EUR
214+ 0.68 EUR
216+ 0.65 EUR
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7503pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54 Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7503pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.4A; 1.25W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7503pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.4A; 1.25W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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