IRF7507TRPBF

IRF7507TRPBF Infineon Technologies


irf7507.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
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Technische Details IRF7507TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7507.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7507_DataSheet_v02_00_EN-3362875.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7507.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7507TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7507.pdf 2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD)
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF
Produktcode: 45759
irf7507.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7507pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 2.4/-1A; 1.25W; SO8
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.4/-1A
On-state resistance: 0.135/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
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IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7507pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 2.4/-1A; 1.25W; SO8
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.4/-1A
On-state resistance: 0.135/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
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