IRF7509TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7509TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRF7509TRPBF nach Preis ab 0.31 EUR bis 6.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8 |
auf Bestellung 40290 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active |
auf Bestellung 111952 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| IRF7509TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25; Qg, нКл = 12 @ 10 В; Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9,7 нс; td(off)+tf = 19 нс; |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF Produktcode: 32320 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: Micro-8 Uds,V: 30 Idd,A: 2.7; -2 Rds(on), Ohm: 0.11; 0,2 Bem.: N and P channel JHGF: SMD |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2A; 1.25W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11/0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2A; 1.25W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11/0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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