IRF7530TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7530TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote IRF7530TRPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7530TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 |
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IRF7530TRPBF Produktcode: 31263 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 05.04.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18 Bem.: 2N JHGF: SMD |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7530TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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