IRF7779L2TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
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Technische Details IRF7779L2TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRF7779L2TRPBF nach Preis ab 7.32 EUR bis 15.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 67A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7779L2TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 67A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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