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IRF7807VD1 IOR


irf7807vd1.pdf Hersteller: IOR
09+ SO-8
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Technische Details IRF7807VD1 IOR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

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IRF7807VD1 IRF7807VD1
Produktcode: 24875
Hersteller : IR irf7807vd1.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 08.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.017
Ciss, pF/Qg, nC: - /9.5
JHGF: SMD
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IRF7807VD1 IRF7807VD1 Hersteller : Infineon Technologies irf7807vd1.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
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