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IRF7809AV IOR


IRF7809AV.pdf Hersteller: IOR
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Technische Details IRF7809AV IOR

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V.

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IRF7809AV IRF7809AV Hersteller : Infineon Technologies irf7809av.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7809AV IRF7809AV Hersteller : Infineon Technologies IRF7809AV.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
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