IRF830ALPBF

IRF830ALPBF

IRF830ALPBF

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

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Technische Details IRF830ALPBF

Description: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK, Part Status: Active, Supplier Device Package: I2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Packaging: Tube.

Preis IRF830ALPBF ab 4.59 EUR bis 6.47 EUR

IRF830ALPBF
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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