Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF830S
IRF830S

IRF830S

sihf830s.pdf
Produktcode: 108365
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF830S

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF830S IRF830S Hersteller : Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF830S IRF830S Hersteller : Vishay / Siliconix sihf830s.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF830SPBF
Produkt ist nicht verfügbar