IRF8313TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF8313TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRF8313TRPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 38663 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A |
auf Bestellung 2567 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 13298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8313TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 9,7; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15; Qg, нКл = 9 @ 4,5 В; Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА; SOICN-8 |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF8313TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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