IRF840ALPBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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auf Bestellung 31 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 31+ | 2.3 EUR |
| 32+ | 2.23 EUR |
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| 250+ | 1.3 EUR |
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Technische Details IRF840ALPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.
Weitere Produktangebote IRF840ALPBF nach Preis ab 2.3 EUR bis 6.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF840ALPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET TO-26 |
auf Bestellung 9319 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF840ALPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
Produkt ist nicht verfügbar |