IRF840LCLPBF
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Technische Details IRF840LCLPBF
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: I2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V.
Preis IRF840LCLPBF ab 5.93 EUR bis 8.03 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 
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IRF840LCLPBF Hersteller: VISHAY
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V
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