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IRF840SPBF

IRF840SPBF

91070-1768556.pdf
Produktcode: 188626
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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54+1.34 EUR
61+ 1.17 EUR
70+ 1.03 EUR
74+ 0.97 EUR
250+ 0.93 EUR
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf840s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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IRF840SPBF Hersteller : Vishay/IR sihf840s.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK
auf Bestellung 63 Stücke:
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100+ 1.49 EUR
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IRF840SPBF IRF840SPBF Hersteller : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840SPBF IRF840SPBF
Produktcode: 82665 		Hersteller : VISHAY sihf840s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
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BC847B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2033		 BC847B.pdf
BC847B (Bipolartransistor NPN)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
verfügbar: 647 Stück
erwartet: 6000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.02 EUR
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BC807-25
Produktcode: 2039		 BC807_.pdf
BC807-25
Hersteller: Infineon
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Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 400
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 2017 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
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Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
verfügbar: 270 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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Drosseln > Induktivität 0805
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№ 8: 8504502090
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Anzahl Preis ohne MwSt
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