IRF9Z34 Siliconix
Hersteller: SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
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Technische Details IRF9Z34 Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IRF9Z34 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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IRF9Z34 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9Z34 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
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IRF9Z34 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z34PBF |
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