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IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF

irf9z34npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 31477
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
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Technische Details IRF9Z34NPBF IR

  • MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:-55V
  • Current, Id Cont:17A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Current, Idm Pulse:68A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:56W
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Voltage Vds:55V
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN-3363049.pdf MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF Hersteller : IR irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
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10+ 1.8 EUR
IRF9Z34NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd (MFET,P-CH,55V,19A,0.1OM,TO-220AB)
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IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
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Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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Produktcode: 31944		 irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
verfügbar: 767 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10 kOhm 3296W (KLS4-3296W-103)
Produktcode: 98325		 kls4-3296-datasheet.pdf
10 kOhm 3296W (KLS4-3296W-103)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 10 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
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