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IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF Vishay


91094.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFB11N50APBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V.

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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91094.pdf MOSFET 500V N-CH HEXFET
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : VISHAY SILXS09625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
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IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay/IR 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF
Produktcode: 27308
91094.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Hersteller : Infineon Technologies 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
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