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IRFB17N50LPBF VISHAY

Name: IRFB17N50LPBF
Brand: VISHAY
SKU: 268949-8
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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Technische Details IRFB17N50LPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V.

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFET 500V N-CH HEXFET

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V

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50+	11 EUR
100+	9.43 EUR
500+	8.38 EUR
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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay/IR

N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 16 А; Ptot, Вт = 220; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 10 В; Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; TO-220AB

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Anzahl	Preis ohne MwSt
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10+	3.22 EUR
100+	2.83 EUR

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IRFB17N50LPBF
Produktcode: 190279

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IRFB17N50LPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB17N50LPBF

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0012397596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - IRFB17N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 16 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 220
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: To Be Advised

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