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IRFB4020PBF

Name: IRFB4020PBF
Brand: IR
SKU: 55927
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05

Produktcode: 55927

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT

verfügbar 14 Stück:

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfb4020-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRFB4020PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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44+	1.64 EUR
50+	1.46 EUR
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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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250+	2.2 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.92 EUR

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN-3363182.pdf

MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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1000+	2.02 EUR
2000+	1.92 EUR

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V

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5000+	1.86 EUR
10000+	1.8 EUR

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IRFB4020PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1297 Stücke:

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IRFB4020PBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB

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10+	3.21 EUR
100+	2.82 EUR

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IRFB4020PBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB

auf Bestellung 780 Stücke:

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRS2092SPBF
Produktcode: 26019

Hersteller: Infineon
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SOIC-16
U Strom, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Bemerkung: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C

auf Bestellung 8 Stück:

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1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 31650

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 384 Stück

erwartet: 3000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.14 EUR
10+	0.1 EUR
100+	0.07 EUR
1000+	0.063 EUR

47uF 25V ECR 5x11mm (ECR470M25B-Hitano)
Produktcode: 3376

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

erwartet: 10000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.04 EUR
10+	0.022 EUR
100+	0.011 EUR
1000+	0.01 EUR

IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289

f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf

IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT

verfügbar: 868 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.88 EUR
10+	0.79 EUR

1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3243

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

verfügbar: 4900 Stück

erwartet: 20000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.0042 EUR
100+	0.0036 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10