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IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

irfs4410-datasheet.pdf
Produktcode: 72936
Hersteller:
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
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Technische Details IRFB4410PBF

  • MOSFET, N, 100V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:250W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:96A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:250W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:250W
  • Pulse Current Idm:380A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Capacitance Ciss:5150pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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25+2.86 EUR
35+ 2.04 EUR
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf Category: THT N channel transistors
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5980 Stücke:
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42+3.79 EUR
50+ 3.06 EUR
100+ 2.79 EUR
200+ 2.66 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 2.09 EUR
2000+ 1.95 EUR
4000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 42
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
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4+6.97 EUR
10+ 5.78 EUR
100+ 4.6 EUR
500+ 3.89 EUR
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4410_DataSheet_v01_01_EN-3363435.pdf MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
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Anzahl Preis ohne MwSt
8+7.02 EUR
10+ 5.8 EUR
100+ 4.42 EUR
250+ 4.39 EUR
500+ 3.77 EUR
1000+ 3.17 EUR
2000+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
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IRFB4410PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 N-Channel HEXFET, TO-220, 100V
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Sicherung 5x20mm 1A 250V (50F-010H, GT1-4602A-1A)
Produktcode: 22143
Sicherung 5x20mm 1A 250V (50F-010H, GT1-4602A-1A)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 1A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 1A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 11162 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 2,5A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 2,5A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 17629 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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Produktcode: 25297		 ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf
STP75NF75
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/117
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 702 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.8 EUR
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Produktcode: 29158		 description en.CD00000444.pdf
L7812CV
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Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
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Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 2620 Stück
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.24 EUR
10+ 0.22 EUR
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HER508
Produktcode: 36759		 HER501-504.pdf
HER508
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 1000
Iav, A: 5
Trr, ns: 100
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