IRFB9N65A Vishay
Hersteller: VishayN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
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Technische Details IRFB9N65A Vishay
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFB9N65A nach Preis ab 3.01 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| IRFB9N65A | Hersteller : International Rectifier |
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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IRFB9N65A Produktcode: 191888 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB9N65A | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB9N65A | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V |
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IRFB9N65A | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFB9N65APBF |
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