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IRFB9N65APBF

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irfb9n65apbf.pdf
Produktcode: 100724
Hersteller:
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
JHGF: THT
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91104.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 4
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 474 Stücke:
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : VISHAY irfb9n65apbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : VISHAY irfb9n65apbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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