Produkte > VISHAY > IRFBC30APBF
IRFBC30APBF

IRFBC30APBF Vishay


91108.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
102+1.53 EUR
111+ 1.34 EUR
116+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFBC30APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm.

Weitere Produktangebote IRFBC30APBF nach Preis ab 1.24 EUR bis 7.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Hersteller : Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
102+1.53 EUR
111+ 1.34 EUR
116+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91108.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.9 EUR
16+ 3.25 EUR
100+ 2.99 EUR
1000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91108.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.07 EUR
50+ 5.69 EUR
100+ 4.68 EUR
500+ 3.96 EUR
1000+ 3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Hersteller : Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Hersteller : Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBC30APBF Hersteller : VISHAY 91108.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBC30APBF Hersteller : VISHAY 91108.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar