IRFBC40

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Produktcode: 26834

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT

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Technische Details IRFBC40 IR

Möglichen Substitutionen IRFBC40 IR

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	IRFBC40 Produktcode: 163760	Hersteller : Siliconix	Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60 JHGF: THT	auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	kaufen

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	IRFBC40 Produktcode: 163760	Hersteller : Siliconix	Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60 JHGF: THT	auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	kaufen
	IRFBC40	Hersteller : Siliconix	N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke	auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 20+ 2.49 EUR Mindestbestellmenge: 20 kaufen
	IRFBC40	Hersteller : Vishay	Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFBC40	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFBC40	Hersteller : Vishay / Siliconix	MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBC40PBF	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFBC40	Hersteller : STMicroelectronics	MOSFET TO-220 N-CH 600V 6.2	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFBC40	Hersteller : onsemi / Fairchild	MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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IRFZ24NPBF Produktcode: 4381

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
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Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT

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BC817-40 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 17873

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD

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2SC2655 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 22580

Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT

verfügbar: 597 Stück

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IRFZ44NPBF Produktcode: 35403

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT

verfügbar: 1588 Stück

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SS14 Produktcode: 1577

Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10

verfügbar: 5348 Stück

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