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IRFBE20

IRFBE20

91117.pdf
Produktcode: 58305
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 800
Idd,A: 01.08.2015
Rds(on), Ohm: 06.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
JHGF: THT
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IRFBE20 Hersteller : Siliconix 91117.pdf N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
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IRFBE20 IRFBE20 Hersteller : Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE20 IRFBE20 Hersteller : Vishay Siliconix 91117.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
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IRFBE20 IRFBE20 Hersteller : Vishay / Siliconix 91117.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBE20PBF
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