IRFBE30 Siliconix
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Technische Details IRFBE30 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFBE30 nach Preis ab 17.67 EUR bis 17.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| IRFBE30 | Hersteller : Vishay |
 Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A |
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IRFBE30 Produktcode: 23059 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 800 Idd,A: 04.01.2015 Rds(on), Ohm: 3 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78 JHGF: THT |
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IRFBE30 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBE30 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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IRFBE30 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBE30PBF |
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