IRFBE30PBF VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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47+ | 1.54 EUR |
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Technische Details IRFBE30PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Weitere Produktangebote IRFBE30PBF nach Preis ab 1 EUR bis 5.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFBE30PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 800V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 1741 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 1258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER | N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | IRFBE30PBF Транзисторы |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF- | Hersteller : VIS | 09+ SOP8 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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