IRFBG20PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.86A
On-state resistance: 11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRFBG20PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5ohm.
Weitere Produktangebote IRFBG20PBF nach Preis ab 0.8 EUR bis 7.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFBG20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.86A On-state resistance: 11Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBF20PBF |
auf Bestellung 7678 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5ohm |
auf Bestellung 17041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=1000V; Id=1,4A; Pd=54W; Rds=11 Ohm |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBG20PBF |
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| IRFBG20PBF | Hersteller : Vishay/IR |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |