IRFBG20PBF
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Technische Details IRFBG20PBF
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Preis IRFBG20PBF ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 
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IRFBG20PBF Hersteller: IRFBG20PBF
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auf Bestellung 400 Stücke  Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFBG20PBF Hersteller: VISHAY Material: IRFBG20PBF THT N channel transistors
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IRFBG20PBF Hersteller: Vishay/IR
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auf Bestellung 10 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20PBF
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auf Bestellung 3001 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube
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