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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix


irfbg30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 29889
Hersteller: Siliconix
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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57+1.27 EUR
59+ 1.22 EUR
72+ 1 EUR
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Mindestbestellmenge: 57
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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500+ 1.3 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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45+3.54 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFET 1000V N-CH HEXFET
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
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5+5.9 EUR
50+ 4.75 EUR
100+ 3.91 EUR
500+ 3.31 EUR
1000+ 2.81 EUR
2000+ 2.67 EUR
5000+ 2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY irfbg30.pdf Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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UC3842BN
Produktcode: 17968
description UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3842BN
Hersteller: ST/UTC
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 324 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.44 EUR
10+ 0.42 EUR
Sicherung 5x20mm 4A 250V (50F-040H)
Produktcode: 22379
Sicherung 5x20mm 4A 250V  (50F-040H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 4A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 4A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
verfügbar: 9400 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.05 EUR
10+ 0.035 EUR
100+ 0.025 EUR
US1M
Produktcode: 30533
US1A-M.pdf
US1M
Hersteller: DC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
verfügbar: 270 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.08 EUR
10+ 0.064 EUR
100+ 0.047 EUR
STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
description STP4NK60ZFP_.pdf
STP4NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 182 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.45 EUR
LM2901D
Produktcode: 3346
en.CD00000532.pdf
LM2901D
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: QUAD DIFFERENTIAL COMPARATORS
Udss,V: 36
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: -40...+125°C
Anzahl Kanale: 4;
verfügbar: 241 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.17 EUR
100+ 0.13 EUR