IRFD024

IRFD024

Hersteller: SILI
N-MOSFET 2.5A 60V 1.3W 0.1? Trans. IRFD024 PDIP04 TIRFD024
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Technische Details IRFD024

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP, Part Status: Active, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel.

Preis IRFD024 ab 1.88 EUR bis 1.88 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024PBF
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Hersteller: Vishay/IR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
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IRFD024
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Part Status: Active
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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