Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFD110PBF Siliconix

IRFD110PBF Siliconix

Name: IRFD110PBF
Brand: Siliconix
SKU: 98653
Price: 0.38 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 98653

Hersteller: Siliconix
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT

verfügbar 39 Stück:

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IRFD110PBF

Hersteller : VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.71A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.71A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1895 Stücke:

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76+	0.94 EUR
126+	0.57 EUR
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IRFD110PBF

Hersteller : VISHAY

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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180+	0.85 EUR
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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V

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5000+	1.53 EUR
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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

(MFET,N-CH,100V,1A,DIP-4)

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IRFD110PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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S8550-H
Produktcode: 160618

Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 350

auf Bestellung 1791 Stück:

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BC807-25
Produktcode: 2039

Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 400
ZCODE: 8541 21 00 90

verfügbar: 2017 Stück

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1+	0.04 EUR
10+	0.032 EUR
100+	0.021 EUR
1000+	0.018 EUR

22 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-22R-Hitano)
Produktcode: 1679

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 22 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C

verfügbar: 1975 Stück

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10+	0.018 EUR
100+	0.015 EUR

Mindestbestellmenge: 10

10uF 100V ECR 6x11mm (ECR100M2AB-Hitano)
Produktcode: 1403

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

auf Bestellung 193 Stück:

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erwartet 10000 Stück:

10000 Stück - erwartet 08.06.2024

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100+	0.018 EUR
1000+	0.015 EUR

4,7uF 50V EHR 5x11mm (EHR4R7M50B-Hitano)
Produktcode: 1231

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 17155 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.04 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.014 EUR
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