IRFD123PBF Vishay
Produktcode: 26821
Hersteller: VishayGehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 01.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRFD123PBF nach Preis ab 1.26 EUR bis 3.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD123PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI |
auf Bestellung 5769 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRFD123PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6628 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRFD123PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
IRFD123PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRFD123PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRFD123PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.3W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRFD123PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.3W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |