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IRFD123PBF

IRFD123PBF Vishay


sihfd123.pdf
Produktcode: 26821
Hersteller: Vishay
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 01.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
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IRFD123PBF IRFD123PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfd123.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
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IRFD123PBF IRFD123PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRFD123PBF IRFD123PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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IRFD123PBF IRFD123PBF Hersteller : Vishay sihfd123.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD123PBF IRFD123PBF Hersteller : Vishay sihfd123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD123PBF Hersteller : VISHAY sihfd123.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFD123PBF Hersteller : VISHAY sihfd123.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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