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IRFD220PBF

IRFD220PBF Vishay

sihfd220.pdf
Produktcode: 22410
Hersteller: Vishay
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 200
Idd,A: 01.08.2000
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
JHGF: THT
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IRFD220PBF IRFD220PBF Hersteller : VISHAY IRFD220PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.5A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
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IRFD220PBF IRFD220PBF Hersteller : VISHAY IRFD220PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.5A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
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IRFD220PBF IRFD220PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IRFD220PBF IRFD220PBF Hersteller : Vishay sihfd220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
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IRFD220PBF IRFD220PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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22uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR220M50B-Hitano)
Produktcode: 17714		 EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 6632 Stück:
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MER 1uF 630V K(+/-10%), P=27,5mm; 14x23,5x30mm (MER105K2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 1uF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm; 14x23,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER105K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
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Sicherung 6х30mm 3A 250V
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Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 3A 250V 6x30mm F
Nennstrom, А: 3A
Größe: 6х30mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
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