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Technische Details IRFD9024PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFD9024PBF nach Preis ab 1.25 EUR bis 3.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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IRFD9024PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9024PBF Produktcode: 48522 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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IRFD9024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFD9024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced |
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