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Technische Details IRFI820GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFI820GPBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFI820GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI820GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFI820G |
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IRFI820GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI820GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
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