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Technische Details IRFI9Z24GPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFI9Z24GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFI9Z24GPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFI9Z24GPBF | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFI9Z24GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.28 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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IRFI9Z24GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
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IRFI9Z24GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
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IRFI9Z24GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
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| IRFI9Z24GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: -34A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI9Z24GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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| IRFI9Z24GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: -34A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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