IRFI9Z24GPBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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Technische Details IRFI9Z24GPBF

Description: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Mounting Type: Through Hole, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA.

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET
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IRFI9Z24GPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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