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Technische Details IRFIB6N60APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IRFIB6N60APBF nach Preis ab 2.43 EUR bis 9.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 4919 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFIB6N60APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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