IRFIZ24GPBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFIZ24GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V.

Preis IRFIZ24GPBF ab 1.13 EUR bis 4.76 EUR

IRFIZ24GPBF
IRFIZ24GPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
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