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IRFIZ24GPBF

IRFIZ24GPBF Vishay Siliconix


91187.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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Technische Details IRFIZ24GPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFIZ24GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91187.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
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IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013608732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFIZ24GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Hersteller : Vishay 91187.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
IRFIZ24GPBF Hersteller : VISHAY 91187.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 37W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Hersteller : Vishay 91187.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Hersteller : Vishay 91187.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
IRFIZ24GPBF Hersteller : VISHAY 91187.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 37W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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