auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 16+ | 3.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFIZ34GPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFIZ34GPBF nach Preis ab 3.12 EUR bis 6.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1346 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRFIZ34GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
IRFIZ34GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
IRFIZ34GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |